PY1BJN – Escola Naval

A Escola Naval é a mais antiga instituição de ensino de nível superior do Brasil. Foi criada em 1782, em Lisboa, Portugal, por Carta Régia da Rainha D. Maria I sob a denominação de Academia Real de Guardas-Marinha. Com a vinda da Família Real para o Brasil, a Academia desembarcou no Rio de Janeiro em 1808, trazida a bordo da nau “Conde D. Henrique”. Instalada primeiramente no Mosteiro de São Bento, lá permaneceu até 1832, e a partir daí sofreu inúmeras mudanças de instalações, tendo funcionado inclusive a bordo de navios. Finalmente, em 1938, a ESCOLA NAVAL veio fixar-se nesta Ilha de Villegagnon.

Após longo período sem operações, a Estação do Grêmio de Rádio da Escola Naval PY1BJN retorna com força total, feito conseguido com o apoio da LABRE RJ e de Radioamadores: Capitão de Mar e Guerra Davi o Tenente Maia e do Corpo de Aspirantes.

CONCURSO BATALHA NAVAL DO RIACHUELO 2012

Este concurso é realizado anualmente pelo Grêmio de Comunicações da Sociedade Acadêmica Phoenix Naval, pertencente aos Aspirantes da Escola Naval, tendo como objetivo a confraternização e o adestramento de comunicações entre os Radioamadores, homenageando-se o aniversário da Batalha Naval do Riachuelo.

DATA E HORÁRIO baixe aqui em PDF o regulamento:

CONTESTE da ESCOLA NAVAL – 2012

ZW1X

Amigos,

Durante 1 mês ficou no ar a ZW1X, transmitindo em CW, FONIA, DIGITAIS e até SATÉLITES! Foi mais de 1000 contatos (pouco) mais a ideia principal, era trabalhar no CQMMDX! Todos os contatos já foram pagos via: LoTW, EQSL e podem ser consultada no HRDLod. Os cartões QSL devem sair em breve da gráfica e serão distribuídos a todos via DIRETA!

Aqui vai um ”videozinho” da ZW1X em 10 metros na telegrafia, lógico! hihihi

BLF578XR – O super transistor!

Sabe aquele transistor meio impossível! Tipo pesadelos… Aquele medo dos estagiários em inverter a polaridades, aumentar a tensão. Coisas impossíveis de acontecer na eletrônica! héeee. Pois bem, a fabricante de semicondutores NXP mostrou o seu novo ”transistor de alta potência”, chamado BLF578XR, extremamente robusto com 1200 Watts de potência, esse MOSFET de RF sobrevive a curtos-circuitos e saídas abertas. O componente é adequado para uso em amplificadores de RF que operam na na faixa de freqüência de 10-500 MHz e resiste a condições extremamente adversas.

A NXP lançou um vídeo demonstrando a desconexão de carga e até mesmo a saída em curto-circuito com o amplificador de RF em pleno funcionamento, a todo potência, sem causar nenhum dano ao transistor. As aplicações típicas para este semicondutores de potência incluem o controle de lasers industriais, etc